Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 192 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN
- RS品番:
- 243-9298
- メーカー型番:
- IRFH8324TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥45.048 | ￥180,192 |
| 8000 - 36000 | ￥44.759 | ￥179,036 |
| 40000 - 56000 | ￥44.449 | ￥177,796 |
| 60000 - 76000 | ￥44.151 | ￥176,604 |
| 80000 + | ￥43.851 | ￥175,404 |
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- RS品番:
- 243-9298
- メーカー型番:
- IRFH8324TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 192A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | IRFH | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.7mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 5.3 mm | |
| 長さ | 6.3mm | |
| 高さ | 1.2mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 192A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ IRFH | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 5.3 mm | ||
長さ 6.3mm | ||
高さ 1.2mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IRFH8324TRPBF NチャンネルパワーMOSFETは、低RDS(on)と大電流対応に最適化されています。 このデバイスは、性能と堅牢性が要求される低周波数用途に最適です。 この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリー管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなど、幅広い用途に対応します。
基板に対する低熱抵抗（2.3℃/W）<前世代のシリコンに比べて柔軟なボディダイオード
ロープロファイル（1.2mm）
既存の表面実装技術に対応
既存の表面実装技術に対応
RoHS準拠、鉛フリー、ブロミッドフリー、ハロゲンフリー