Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 85 A, 表面 パッケージPQFN
- RS品番:
- 257-5531
- メーカー型番:
- IRFH7545TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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￥314,364.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥78.591 | ￥314,364 |
| 8000 - 36000 | ￥77.018 | ￥308,072 |
| 40000 - 56000 | ￥75.475 | ￥301,900 |
| 60000 - 76000 | ￥73.969 | ￥295,876 |
| 80000 + | ￥72.493 | ￥289,972 |
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- RS品番:
- 257-5531
- メーカー型番:
- IRFH7545TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 85A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.2mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 73nC | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6 mm | |
| 高さ | 1.17mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 85A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.2mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 73nC | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6 mm | ||
高さ 1.17mm | ||
長さ 5mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon strongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と耐久性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、 DC モータ、バッテリ管理システム、インバータ、 DC-DC コンバータなど、幅広いアプリケーションに対応します。
業界標準の表面実装パワーパッケージ
JEDEC規格に準拠した製品認定
以下のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン <100 kHz
以前のシリコン世代に比べてボディダイオードがソフト
幅広いポートフォリオを用意