Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 80 A, 1.4 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 243-9316
- メーカー型番:
- IAUC80N04S6N036ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 10000 - 45000 | ￥69.844 | ￥349,220 |
| 50000 - 70000 | ￥68.789 | ￥343,945 |
| 75000 - 95000 | ￥67.722 | ￥338,610 |
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- RS品番:
- 243-9316
- メーカー型番:
- IAUC80N04S6N036ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | IAUC | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ IAUC | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IAUCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧20V、最大連続ドレイン電流80A - IAUC80N04S6N036ATMA1
このMOSFETは、過酷な環境での高電流表面実装用途向けに設計されたパワースイッチングトランジスタです。Nチャンネル強化デバイスとして動作し、高温と堅牢な電流処理が求められる熱および電気的デューティに適しています。このコンポーネントはRoHS認証を取得し、要求の厳しい車載エレクトロニクスで使用するための自動車認証規格に準拠して製造されています。
特長：
• 最大連続ドレイン電流80 Aにより、高電流供給を実現
• 1.4 mΩの超低RDS(on)により、導通損失を低減
• 最大消費電力81Wで重いスイッチング負荷に対応
• ゲート充電Qg 80 nCにより、予測可能なドライブ要件を実現
• 最大VDS 20 Vにより低電圧システム統合が可能
• 1.4 mΩの超低RDS(on)により、導通損失を低減
• 最大消費電力81Wで重いスイッチング負荷に対応
• ゲート充電Qg 80 nCにより、予測可能なドライブ要件を実現
• 最大VDS 20 Vにより低電圧システム統合が可能
用途
• 自動車システムのDC-DCコンバータステージに最適
• 電気自動車の電源管理モジュールと併用
• 補助システムのモータードライブMOSFETステージに最適
• バッテリ保護および配電に使用可能
• 電気自動車の電源管理モジュールと併用
• 補助システムのモータードライブMOSFETステージに最適
• バッテリ保護および配電に使用可能
効率的なスイッチングには、どのようなゲート駆動に関する考慮事項が必要ですか？
標準的な総ゲート電荷は80 nCと予想されているため、ゲートドライバは必要なスイッチング速度を達成するために、スイッチング損失を管理しながら十分な電流を供給してシンクする必要があります。
熱範囲は車載エレクトロニクスの導入にどのように影響しますか?
このデバイスは、-55°C～175°Cの動作をサポートし、発熱コンポーネントの近くおよびエンジンベイの周囲条件に配置できます。
回路レイアウトには、どのような取り付けとパッケージの制約がありますか?
8ピンのSuperSO8 5x6表面実装パッケージで提供され、そのパッケージタイプに適合する基板フットプリントと熱管理が必要です。
設計者はどのような電圧および極性制限を遵守する必要がありますか?
このデバイスの最大ゲートソース間電圧は20 V、最大ドレインソース間電圧は20 Vなので、システム電圧はその限界内に保たなければなりません。
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