Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 100 A, 1.4 mΩ, 80 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- RS品番:
- 243-9319
- メーカー型番:
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 243-9319
- メーカー型番:
- IPC50N04S5L5R5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IPC | |
| パッケージ型式 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IPC | ||
パッケージ型式 SuperSO8 5 x 6 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IPCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流100A - IPC50N04S5L5R5ATMA1
このMOSFETは、過酷な環境での表面実装電源スイッチング用に設計された高電流Nチャンネルトランジスタです。広い温度範囲で動作しながら大幅な連続ドレイン電流を供給し、環境および自動車用材料要件に適合します。
特長：
• 100 Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングを実現
• 1.4 mΩ Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 40Vドレイン・ソース定格により、低電圧電源レールをサポート
• 最大許容電力 81W により、継続的な熱負荷に対応
• 80 nCの標準ゲート充電により、ゲートドライブの要件を軽減
• 最大20Vのゲートソース定格により、ゲート電圧マージンを維持
• 1.4 mΩ Rds(on)により、導通損失を最小限に抑制
• 40Vドレイン・ソース定格により、低電圧電源レールをサポート
• 最大許容電力 81W により、継続的な熱負荷に対応
• 80 nCの標準ゲート充電により、ゲートドライブの要件を軽減
• 最大20Vのゲートソース定格により、ゲート電圧マージンを維持
用途
• 自動車用配電モジュールに最適
• 高電流DC-DCコンバータステージに最適
• 電気モーター駆動ハーフブリッジレッグに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 表面実装型電源管理アセンブリに最適
• 高電流DC-DCコンバータステージに最適
• 電気モーター駆動ハーフブリッジレッグに使用
• 電源回路の同期整流に使用可能
• 表面実装型電源管理アセンブリに最適
どのような熱範囲に耐えられますか?
-55°C～175°Cで動作し、温度変化が広い環境で使用できます。
どのくらいのピンと、どのようなパッケージを使用しますか?
表面実装用の5x6mmの8ピンSuperSO8パッケージで提供されます。
環境材料規格に準拠していますか?
制限物質に関するRoHS要件に適合しています。
電気的特性により、ゲートドライブに関するどのような考慮事項がありますか?
標準的なゲート充電は80 nCで、最大VGSは20 Vであるため、ゲートドライバは十分な充電を提供し、20 Vの制限を遵守する必要があります。
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