Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計：*

￥601,334.00

(税抜)

￥661,468.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,000 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2000 - 2000￥300.667￥601,334
4000 - 18000￥294.651￥589,302
20000 - 28000￥288.759￥577,518
30000 - 38000￥282.986￥565,972
40000 +￥277.322￥554,644

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
244-0892
メーカー型番:
IAUT300N08S5N014ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IAUT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1は、特に車載アプリケーション向けに設計されています。このHEXFET®パワーMOSFETのセルラープレーナー設計は、シリコン面積当たりの低オン抵抗を達成するために最新のプロセス技術を利用しています。

Nチャンネル - 強化モード

AEC認定

MSL1（260°Cまでのピークリフロー）に対応

動作温度：175 °C

関連ページ