Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 331 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-HSOF-8, IPT014N08NM5ATMA1

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RS品番:
273-2792
メーカー型番:
IPT014N08NM5ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

331A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PG-HSOF-8

シリーズ

IPT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

160nC

最大許容損失Pd

300W

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon MOSFETは、Nチャンネル80 V MOSFETで、バッテリ駆動用途向けに最適化されています。対象用途に対してJEDEC準拠に適合このMOSFETは、産業用途向けのJEDEC準拠で、IEC61249 2 21準拠でハロゲンフリーです。

RoHS準拠

鉛フリーリードめっき

優れたゲート充電

非常に低いオン抵抗

100 %バランステスト済み

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