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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	58A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	1200V
	パッケージ型式	DFN-5
	シリーズ	NTM
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	22mΩ
	チャンネルモード	N
	最大ゲートソース電圧Vgs	22 V
	最大許容損失Pd	117W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	48nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	Pb-Free, RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 58A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V
	パッケージ型式 DFN-5
	シリーズ NTM
	取付タイプスルーホール
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ
	チャンネルモード N
	最大ゲートソース電圧Vgs 22 V
	最大許容損失Pd 117W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 48nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 Pb-Free, RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - NTMFS3D2N10MDT1G

ON Semiconductor MOSFETは、絶縁型DC-DCコンバータ、DC-DC及びAC-DCの同期整流(SR)、AC-DCアダプタ(USB PD)SR、負荷スイッチ、ホットスワップ、Oリングスイッチ、BLDCモータ、ソーラーインバータのプライマリスイッチとして使用されます。このMOSFETのドレイン-ソース間電圧は100V、ゲート-ソース間電圧は±20V。

シールドゲートMOSFET技術

導通損失を最小限に抑える低RDS(on)

ドライバ損失を最小限に抑えるための低QG・静電容量

低QRR、ソフトリカバリボディダイオード

低QOSSで軽負荷効率を向上

これらのデバイスは鉛未使用、ハロゲン未使用 / BFR未使用、ベリリウム未使用で、RoHS準拠

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A N, スルーホール, 5-Pin パッケージDFN-5

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