DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージX2-DFN

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール10000個入り) 小計：*

￥77,220.00

(税抜)

￥84,940.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫が表示されていない場合があります。ページの再読み込みをお試しください。
個
単価
購入単位毎合計*
10000 - 40000￥7.722￥77,220
50000 - 90000￥7.577￥75,770
100000 - 240000￥7.175￥71,750
250000 - 490000￥6.974￥69,740
500000 +￥6.773￥67,730

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。

RS品番:
246-6796
メーカー型番:
DMN2451UFB4-7B
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

DMN

パッケージ型式

X2-DFN

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

700mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.3nC

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

900mW

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

0.65 mm

高さ

0.4mm

長さ

1.05mm

自動車規格

AEC-Q101

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはU-DFN1006-3パッケージと0.6 mmプロファイルで提供されているため、薄型の用途に最適です。高速スイッチングと高効率を実現しています。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。

最大ドレインソース間電圧: 20 V 最大ゲートソース間電圧: ±12 V 基板フットプリント: 4 mm^2 低ゲートしきい値電圧 ESD保護ゲート

関連ページ