DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージX2-DFN, DMN2450UFB4-7R

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋250個入り) 小計：*

￥2,772.00

(税抜)

￥3,049.25

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月15日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
250 - 250￥11.088￥2,772
500 +￥10.904￥2,726

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
182-7146
メーカー型番:
DMN2450UFB4-7R
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

DMN

パッケージ型式

X2-DFN

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

700mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.3nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

900mW

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

0.65 mm

高さ

0.35mm

長さ

1.05mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN
この新世代MOSFETは、オン状態の抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

フットプリントはわずか0.6 mm2

– SOT23の13分の1の大きさ

0.4 mmのプロファイル – 低プロファイル用途に最適

低ゲートしきい値電圧

高速スイッチング速度

ESD保護ゲート

完全に鉛フリー

ハロゲンフリー、アンチモンフリー。「グリーン」デバイスです。

用途

負荷スイッチ

関連ページ