DiodesZetex MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 160 mA エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール4000個入り) 小計：*

￥269,972.00

(税抜)

￥296,968.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年1月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
4000 - 4000￥67.493￥269,972
8000 - 36000￥66.50￥266,000
40000 - 56000￥65.508￥262,032
60000 - 76000￥64.515￥258,060
80000 +￥63.523￥254,092

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
246-6844
メーカー型番:
DMP65H20D0HSS-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

160mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.73W

動作温度 Max

175°C

高さ

1.45mm

幅

3.85 mm

長さ

4.9mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたPチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはSO-8パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。

最大ドレインソース間電圧: 600 V 最大ゲートソース間電圧: ±30 V 低オン抵抗 電源用途向けの高BVDSS定格 低入力静電容量

関連ページ