2 DiodesZetex MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージUDFN-2020
- RS品番:
- 246-6868
- メーカー型番:
- DMT3020UFDB-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥27.72 | ¥83,160 |
| 15000 - 27000 | ¥27.221 | ¥81,663 |
| 30000 - 72000 | ¥26.445 | ¥79,335 |
| 75000 - 147000 | ¥25.659 | ¥76,977 |
| 150000 + | ¥24.879 | ¥74,637 |
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- RS品番:
- 246-6868
- メーカー型番:
- DMT3020UFDB-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | UDFN-2020 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.03Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 0.86W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 UDFN-2020 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.03Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 0.86W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.8nC | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはU-DFN2020-6パッケージで提供され、0.6 mmプロファイルは薄型用途に最適です。高速スイッチングと高効率を実現しています。100%非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。
最大ドレインソース間電圧: 30 V 最大ゲートソース間電圧: ±12 V 基板フットプリント: 4 mm^2 低ゲートしきい値電圧 ESD保護ゲート
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