DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 69.2 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI5060-8
- RS品番:
- 246-6887
- メーカー型番:
- DMT68M8LPS-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ¥61.898 | ¥154,745 |
| 12500 - 22500 | ¥60.988 | ¥152,470 |
| 25000 - 60000 | ¥60.077 | ¥150,193 |
| 62500 - 122500 | ¥59.167 | ¥147,918 |
| 125000 + | ¥58.257 | ¥145,643 |
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- RS品番:
- 246-6887
- メーカー型番:
- DMT68M8LPS-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 69.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PowerDI5060-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0108Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 1.73W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 5.15 mm | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 69.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PowerDI5060-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0108Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 1.73W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 5.15 mm | ||
長さ 6.15mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETは、powerDI5060-8のパッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。100%非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。
最大ドレインソース間電圧: 60 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V 低オン抵抗 低ゲートしきい値電圧 ESD保護ゲート
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