DiodesZetex MOSFET, タイプN, タイプPチャンネル, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMHC6070LSD-13 パッケージSOIC

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梱包形態
RS品番:
246-7504
メーカー型番:
DMHC6070LSD-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.25Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

1.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

11.5nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

このDiodesZetex製品は、低ゲート駆動で実現可能な低オン抵抗を特徴とする新世代の相補型MOSFET Hブリッジです。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはSO-8パッケージで提供されます。高速スイッチングと低入力静電容量を実現しています。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。

最大ドレインソース間電圧: 60 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V SOICパッケージにNチャンネルx2とPチャンネルx2を搭載 低オン抵抗を実現

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