DiodesZetex MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMHC4035LSDQ-13 パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,635.00

(税抜)

￥1,798.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,360 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥163.50￥1,635
150 - 1190￥144.20￥1,442
1200 - 1590￥125.10￥1,251
1600 - 1990￥104.80￥1,048
2000 +￥85.70￥857

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
246-7503
メーカー型番:
DMHC4035LSDQ-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.058Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.5nC

順方向電圧 Vf

0.7V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

このDiodesZetex製品は、低ゲート駆動で実現可能な低オン抵抗を特徴とする新世代の相補型MOSFET Hブリッジです。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはSO-8パッケージで提供されます。高速スイッチングと低入力静電容量を実現しています。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。

最大ドレインソース間電圧: 40 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V SOICパッケージにNチャンネルx2とPチャンネルx2を搭載 低オン抵抗を実現

関連ページ