DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 0.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージX1-DFN, DMN2310UFD-7

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梱包形態
RS品番:
246-7511
メーカー型番:
DMN2310UFD-7
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

0.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

DMN

パッケージ型式

X1-DFN

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

890mW

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

150°C

長さ

1.25mm

高さ

0.53mm

幅

1.25 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはU-DFN1212-3パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。

最大ドレインソース間電圧: 20 V 最大ゲートソース間電圧: ±8 V 冷却用途に最適な熱効率に優れたパッケージ 低入力静電容量

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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