DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI3333-8, DMN6069SFVW-7
- RS品番:
- 246-7519
- メーカー型番:
- DMN6069SFVW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | ¥76.04 | ¥1,901 |
| 100 - 850 | ¥66.44 | ¥1,661 |
| 875 - 1225 | ¥56.72 | ¥1,418 |
| 1250 - 1475 | ¥47.12 | ¥1,178 |
| 1500 + | ¥37.44 | ¥936 |
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- RS品番:
- 246-7519
- メーカー型番:
- DMN6069SFVW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | PowerDI3333-8 | |
| シリーズ | DMN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.1Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.73W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 2 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.85mm | |
| 長さ | 2.7mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 PowerDI3333-8 | ||
シリーズ DMN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.1Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.73W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 2 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.85mm | ||
長さ 2.7mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはpowerDI3333-8パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。
最大ドレインソース間電圧: 60 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V 小型フォームファクタと熱効率の高いパッケージにより、最終製品の高密度化を実現 光学検査を改善するウェッタブルフランク
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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