DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI3333-8

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計:*

¥62,394.00

(税抜)

¥68,634.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2000 - 8000¥31.197¥62,394
10000 - 18000¥30.745¥61,490
20000 - 48000¥29.983¥59,966
50000 - 98000¥29.21¥58,420
100000 +¥28.437¥56,874

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
246-6813
メーカー型番:
DMN6069SFVW-7
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

DMN

パッケージ型式

PowerDI3333-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.73W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Max

175°C

2 mm

高さ

0.85mm

規格 / 承認

No

長さ

2.7mm

自動車規格

AEC-Q101

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはpowerDI3333-8パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。

最大ドレインソース間電圧: 60 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V 小型フォームファクタと熱効率の高いパッケージにより、最終製品の高密度化を実現 光学検査を改善するウェッタブルフランク

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ