DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 12 V, 10.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, DMT68M8LSS-13

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梱包形態
RS品番:
246-7558
メーカー型番:
DMT68M8LSS-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.73W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Max

175°C

高さ

1.45mm

幅

3.85 mm

規格 / 承認

No

長さ

4.9mm

自動車規格

AEC-Q101

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはSO-8パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。動作温度範囲は-55 ℃→ +150 °Cです。

最大ドレインソース間電圧: 60 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V 低オン抵抗 低ゲートしきい値電圧 ESD保護ゲート

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