DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 11.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, DMT6016LSS-13

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計:*

¥1,152.00

(税抜)

¥1,267.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 40,060 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
20 - 100¥57.60¥1,152
120 - 1180¥53.20¥1,064
1200 - 1580¥48.80¥976
1600 - 1980¥44.40¥888
2000 +¥40.00¥800

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
921-1177
メーカー型番:
DMT6016LSS-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

11.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

DMT6016LSS

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

28mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

2.1W

順方向電圧 Vf

0.7V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

3.95 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.5mm

長さ

4.95mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ