型番

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 11.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, DMT6016LSS-13

RS品番:: 921-1177
メーカー型番:: DMT6016LSS-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 11.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, DMT6016LSS-13

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個	単価	購入単位毎合計*
20 - 100	￥77.10	￥1,542
120 - 1180	￥71.25	￥1,425
1200 - 1580	￥65.30	￥1,306
1600 - 1980	￥59.45	￥1,189
2000 +	￥53.55	￥1,071

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RS品番:: 921-1177
メーカー型番:: DMT6016LSS-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	11.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOIC
	シリーズ	DMT6016LSS
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	28mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	17nC
	順方向電圧 Vf	0.7V
	最大許容損失Pd	2.1W
	動作温度 Max	150°C
	高さ	1.5mm
	長さ	4.95mm
	規格 / 承認	No
	幅	3.95 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 11.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOIC
	シリーズ DMT6016LSS
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 28mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC
	順方向電圧 Vf 0.7V
	最大許容損失Pd 2.1W
	動作温度 Max 150°C
	高さ 1.5mm
	長さ 4.95mm
	規格 / 承認 No
	幅 3.95 mm
	自動車規格なし

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 11.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, DMT6016LSS-13

NチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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