Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 64 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, IMBG65R030M1HXTMA1

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梱包形態
RS品番:
248-9313
メーカー型番:
IMBG65R030M1HXTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

64A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

シリーズ

IMBG

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

チャンネルモード

N

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon SiC MOSFETは、650 V CoolSiCです。ソリッドシリコンカーバイドテクノロジに基づいて構築されており、SiCの幅広いバンドギャップ材質特性を活用しています。650 V CoolSiC MOSFETは、性能、信頼性、使いやすさを独自の組み合わせにより、高温で過酷な動作に適しており、最高のシステム効率を簡素化し、コスト効率の高い展開を可能にします。

高電流でのスイッチング行動を最適化

低Qf性能の堅牢な高速ボディダイオード

優れたゲート酸化信頼性

Tj,max-175℃と優れた熱挙動

低いRDS(オン)とパルス電流の温度依存性

アバランス機能の向上

標準ドライバに対応

ケルビンソースによりスイッチング損失が最大4倍低減

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