Infineon MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル, ハーフブリッジおよびフルブリッジ(2X)構成, 40 V, 115 A, 9.6 mΩ, 7ピン, パッケージ:PG HSOF-7

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RS品番:
249-3347
メーカー型番:
BTN9990LVAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

115A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PG HSOF-7

シリーズ

BTN99x0LV

取付タイプ

表面実装

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9.6mΩ

チャンネルモード

デュアル

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

ハーフブリッジおよびフルブリッジ(2X)構成

規格 / 承認

AEC-Q100/Q006 (Grade 1)

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q006, AEC-Q100

Infineon BTN99x0LVシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流115A - BTN9990LVAUMA1


このMOSFETは、自動車環境でのスイッチングおよびブリッジ構成用に設計されたデュアルチャンネルトランジスタです。ハーフブリッジとフルブリッジの両方の配置に対応し、コンパクトなデュアルエレメント電源デバイスを必要とするモジュールに適したPG HSOF-7パッケージで提供されます。このデバイスは、幅広い温度範囲で動作し、車両システムで使用する自動車グレード規格に適合しています。

特長:


• 一般的な自動車システム電圧に対応する最大ドレイン電圧: 40 V
• 115Aの連続ドレイン電流により、高電流スイッチングを実現
• 9.6mΩ Rds(on)により、導通損失を低減
• ゲート回路を保護するゲート許容差:±20V
• デュアルNおよびPチャンネル配置により、相補ステージを実現
• サーマルヘッドルームの最高動作温度:150°C

用途


• 車両のハーフブリッジおよびフルブリッジパワーステージに最適
• 自動車システムのDCモーター駆動インバータステージに最適
• Hブリッジの補完的なPおよびNチャンネル構成と併用
• バッテリ管理における高電流スイッチングに使用可能
• 自動車グレードコンポーネントを必要とするパワーステージに使用

このデバイスは、動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?


-40°C~150°Cまで動作可能

各チップにはどのくらいのトランジスタ素子がありますか?


各チップには、デュアルチャンネルデバイスとして配置された2つのエレメントが含まれています。

基板実装および熱伝導にはどのようなパッケージを使用しますか?


このコンポーネントは、PG HSOF-7パッケージで提供されます。

どのような自動車認定レベルに適合していますか?


AEC-Q100およびAEC-Q006車載グレードの認証に適合しています。

補完スイッチングトポロジには、どのようなチャンネルタイプが統合されていますか?


このデバイスには、NチャンネルタイプとPチャンネルタイプの両方があります。

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