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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Microchip
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	41 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	3300 V
	パッケージタイプ	TO-247
	実装タイプ	スルーホール

	すべて選択
	ブランド Microchip
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 41 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 3300 V
	パッケージタイプ TO-247
	実装タイプスルーホール

Datasheet - MSC080SMA330B4

Microshipのシリコンカーバイド（SiC）パワーMOSFET製品ラインは、シリコンMOSFETやシリコンIGBTソリューションよりも性能を向上させ高電圧アプリケーションの総所有コストを低減します。このデバイスは、TO-247 4リードパッケージに収められた3300V、80mΩのSiC MOSFETで、ソースセンスがあります。低容量と低ゲートチャージ低ゲート充電、低内部ゲート抵抗(ESR)による高スイッチング速度を備えています。TJ(最大)150 °Cの高ジャンクション温度で安定した動作を実現します。高速で信頼性の高いボディダイオードで、優れたバランス耐性を発揮します。

より軽量でコンパクトなシステムを可能にする高効率
駆動がシンプルで並列化が容易
熱性能の向上とスイッチング損失の低減

Microchip MOSFET, Nチャンネル, 41 A, スルーホール, MSC080SMA330B4

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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