Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 75 V, 230 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 249-6869
- メーカー型番:
- AUIRF6215
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
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￥24,948.00
(税抜)
￥27,443.00
(税込)
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥498.96 | ￥24,948 |
| 250 - 450 | ￥488.64 | ￥24,432 |
| 500 - 1200 | ￥473.72 | ￥23,686 |
| 1250 - 2450 | ￥459.96 | ￥22,998 |
| 2500 + | ￥446.20 | ￥22,310 |
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- RS品番:
- 249-6869
- メーカー型番:
- AUIRF6215
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 230A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 230A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を駆使し、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現する。この利点と、HEXFETパワーMOSFETの高速スイッチング速度と頑丈なデバイス設計の組み合わせにより、自動車やその他の様々な用途で使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを設計者に提供する。
先端平面技術
低オン抵抗
動的dv/dt定格
175 °C動作温度
高速スイッチング