Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 75 V, 230 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ:TO-220

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 本(1本50個入り) 小計:*

¥22,221.00

(税抜)

¥24,443.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 900 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200¥444.42¥22,221
250 - 450¥435.38¥21,769
500 - 1200¥426.28¥21,314
1250 - 2450¥418.36¥20,918
2500 +¥410.42¥20,521

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
249-6867
メーカー型番:
AUIRF3205
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

230A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

AUIRFS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を駆使し、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現する。この利点と、HEXFETパワーMOSFETの高速スイッチング速度と頑丈なデバイス設計の組み合わせにより、自動車やその他の様々な用途で使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを設計者に提供する。

先端平面技術

低オン抵抗

動的dv/dt定格

175 °C動作温度

高速スイッチング

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。