Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 195 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, AUIRFB8409

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梱包形態
RS品番:
249-6872
メーカー型番:
AUIRFB8409
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

195A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

AUIRFS

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3mΩ

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を駆使し、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現する。この利点と、HEXFETパワーMOSFETの高速スイッチング速度と頑丈なデバイス設計の組み合わせにより、自動車やその他の様々な用途で使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを設計者に提供する。

先端平面技術

低オン抵抗

動的dv/dt定格

175 °C動作温度

高速スイッチング

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