Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 195 A, 3 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 249-6872
- メーカー型番:
- AUIRFB8409
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 249-6872
- メーカー型番:
- AUIRFB8409
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 195A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | AUIRFS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 195A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ AUIRFS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術を駆使し、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現する。この利点と、HEXFETパワーMOSFETの高速スイッチング速度と頑丈なデバイス設計の組み合わせにより、自動車やその他の様々な用途で使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを設計者に提供する。
先端平面技術
低オン抵抗
動的dv/dt定格
175 °C動作温度
高速スイッチング
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 3 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 185 A, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 60 V パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 40 V 1.3 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 60 V 2 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- onsemi MOSFET 80 V 10 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-220
- Infineon MOSFET 40 V 0.075 Ω パッケージ：TO-262
- Infineon MOSFET 40 V 1.3 mΩ 3ピン, パッケージ：TO-247