Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 249-6905
- メーカー型番:
- IPB80N08S2L07ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 10000 - 14000 | ¥490.722 | ¥490,722 |
| 15000 - 19000 | ¥477.10 | ¥477,100 |
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- RS品番:
- 249-6905
- メーカー型番:
- IPB80N08S2L07ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 80A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | iPB | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.7mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 80A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ iPB | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.7mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
75 V、Nチャンネル、最大6.8 mΩ、自動車用MOSFET、D2PAK、OptiMOSTM
Infineon OptiMOSは、自動車用途向けのパワーMOSFETです。動作チャンネルはNです。AEC Q101認定です。MSL1は、最大260 °Cのピークリフローです。グリーン製品(RoHS準拠)で、100 %アバランシェテスト済みです。
機能の概要
• Nチャンネルロジックレベル - 強化モード
• 車載AEC Q101認定
• MSL1最大260 °Cのピークリフロー
• 175 °Cの動作温度
• 環境配慮製品(鉛フリー)
• 超低Rds(on)
• 100 %アバランシェテスト済み
給付金
• 75 V (オン)で世界最低のRDS 平面テクノロジー
• 最高の電流容量
• 最低のスイッチング及び伝導電力損失により、最高の熱効率を実現
• 品質と信頼性に優れた堅牢なパッケージ
• 最適化された総ゲート充電により、小型ドライバ出力ステージを実現
想定される用途:
• バルブ制御
• ソレノイド制御
• 照明
• シングルエンドモータ
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