Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTDSON, IAUC41N06S5N102ATMA1

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梱包形態
RS品番:
249-8629
メーカー型番:
IAUC41N06S5N102ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

IAUC

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

Infineon 60 V 、 N チャンネル、 10.2 M Ω 、 OptiMOS 5 テクノロジー対応の車載 MOSFET は、業界標準の S3O8 5 mm x 6 mm 小型フットプリントパッケージに収められ、業界をリードする性能を備え、 RDSon 、 QG 、ゲート静電容量を低く抑え、導電損失とスイッチング損失を最小限に抑えます。

車載用途に適した OptiMOS パワー MOSFET です

N チャンネル、強化モード、標準レベル

AEC-Q101 を上回る認定範囲

強化された電気テスト機能

堅牢設計

MSL1最大260 °Cのピークリフロー

175 °Cの動作温度

環境配慮製品(RoHS対応)

100 % アバランシェテスト済み

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