Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 280 mA, 6000 mΩ, 80 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-323
- RS品番:
- 250-0541
- メーカー型番:
- BSS138WH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 250-0541
- メーカー型番:
- BSS138WH6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 280mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-323 | |
| シリーズ | BSS | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6000mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 280mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-323 | ||
シリーズ BSS | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6000mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon BSSシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧60V、最大消費電力81W - BSS138WH6327XTSA1
このnチャンネル強化デバイスは、限られたアセンブリでのスイッチングと増幅用に設計されたコンパクトな表面実装トランジスタです。広い熱範囲で動作し、高い耐熱性と標準化された自動車規格を必要とする環境に適しています。このパッケージは、小信号処理と熱性能が必要な基板アセンブリへの自動はんだ付けを容易にします。
特長および利点：
• 最大ドレイン・ソース電圧60Vにより、高電圧スイッチング機能を実現
• 6000 mΩのドレイン・ソース抵抗により、小電流での導通損失を低減
• 0.28Aの連続ドレイン電流により、低電流信号経路をサポート
• 81Wの消費電力定格により、短時間の電力処理が可能
• 最高動作温度+150°Cで高温動作を維持
• 6000 mΩのドレイン・ソース抵抗により、小電流での導通損失を低減
• 0.28Aの連続ドレイン電流により、低電流信号経路をサポート
• 81Wの消費電力定格により、短時間の電力処理が可能
• 最高動作温度+150°Cで高温動作を維持
用途
• コンパクトな制御モジュールの信号スイッチングに最適
• 基板上の表面実装電源管理回路に最適
• AEC‐Q101認証を必要とする自動車用電子機器で使用
• ポータブルデバイスの低電流負荷ドライバに使用可能
• 基板上の表面実装電源管理回路に最適
• AEC‐Q101認証を必要とする自動車用電子機器で使用
• ポータブルデバイスの低電流負荷ドライバに使用可能
許容ゲート電圧制限は何ですか?
ゲート制限を超える前に、ゲートはソースに対して最大20 Vまで駆動できます。
ゲート充電はドライブ要件にどのように影響しますか?
定格ドライブで80 nCの標準ゲート電荷は、ゲートドライバから中程度の過渡エネルギーが必要なことを意味します。
このデバイスはどのような極端な熱に耐えられますか?
-55°C および最大 +150°C で動作し、幅広い環境に対応します。
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