Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 421 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC, SIDR500EP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
252-0249
メーカー型番:
SIDR500EP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

421A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8DC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00068mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46.1nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

150W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

幅

5.15 mm

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。

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