Vishay Nチャンネル MOSFET80 V 153 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8DC 8 ピン
- RS品番:
- 252-0259
- メーカー型番:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
在庫切れ
単価： 購入単位は3000 個
￥214.586
(税抜)
￥236.045
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | ￥214.586 | ￥643,758.00 |
| 6000 - 27000 | ￥208.18 | ￥624,540.00 |
| 30000 - 42000 | ￥197.077 | ￥591,231.00 |
| 45000 - 57000 | ￥191.526 | ￥574,578.00 |
| 60000 + | ￥185.974 | ￥557,922.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 252-0259
- メーカー型番:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。
TrenchFET Gen VパワーMOSFET、
非常に低いRDS - Qgメリット数値(FOM)
RDS が最小になるように調整 - Qoss FOM
100 %Rg及びUISテスト済み
非常に低いRDS - Qgメリット数値(FOM)
RDS が最小になるように調整 - Qoss FOM
100 %Rg及びUISテスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 153 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 80 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8DC |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
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