Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 153 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8DC, SIDR5802EP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
252-0260
メーカー型番:
SIDR5802EP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

153A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8DC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0042mΩ

チャンネルモード

デプレッション型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

150W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46.1nC

動作温度 Max

175°C

幅

5.15 mm

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。

TrenchFET Gen VパワーMOSFET、

非常に低いRDS - Qgメリット数値(FOM)

RDS が最小になるように調整 - Qoss FOM

100 %Rg及びUISテスト済み

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