システムメンテナンスのお知らせ - 6月22日（土）～24日（月）
平素よりRSコンポーネンツをご利用いただき誠にありがとうございます。 2024年6月22日（土）05:00～ 24日（月）6:00の時間帯で、ウェブサイト改善の一環として、重要なアップグレードを行うためにシステムメンテナンスを実施いたします。この間、弊社ウェブサイトのご利用ができなくなります。 お客様には大変ご迷惑をおかけいたしますが、ご理解のほどよろしくお願い申し上げます。
Vishay Nチャンネル MOSFET80 V 153 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8DC 8 ピン
- RS品番:
- 252-0260
- メーカー型番:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
999999999 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は5個
￥457.40
(税抜)
￥503.14
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥457.40 | ￥2,287.00 |
| 150 - 1420 | ￥444.20 | ￥2,221.00 |
| 1425 - 1895 | ￥334.20 | ￥1,671.00 |
| 1900 - 2395 | ￥279.20 | ￥1,396.00 |
| 2400 + | ￥224.20 | ￥1,121.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 252-0260
- メーカー型番:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。
TrenchFET Gen VパワーMOSFET、
非常に低いRDS - Qgメリット数値(FOM)
RDS が最小になるように調整 - Qoss FOM
100 %Rg及びUISテスト済み
非常に低いRDS - Qgメリット数値(FOM)
RDS が最小になるように調整 - Qoss FOM
100 %Rg及びUISテスト済み
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 153 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 80 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8DC |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
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