Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 42.8 A デプレッション型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SIR4608DP-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,129.00

(税抜)

￥1,241.90

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,025 は 2025年12月30日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥225.80￥1,129
150 - 1420￥198.60￥993
1425 - 1895￥169.80￥849
1900 - 2395￥141.00￥705
2400 +￥113.60￥568

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
252-0278
メーカー型番:
SIR4608DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

42.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.01mΩ

チャンネルモード

デプレッション型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

83W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

56nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

6.15mm

幅

5.15 mm

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

VishayシリコニックスMOSFET製品ラインには、さまざまな先進技術が含まれています。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。電界効果は、電圧によって制御されることを意味します。NチャンネルMOSFETには、自由に移動できる追加の電子が含まれています。これらは、より一般的なチャンネルタイプです。NチャンネルMOSFETは、ゲート端子に正電荷が印加されると動作します。

TrenchFET Gen VパワーMOSFET、

非常に低いRDS - Qgメリット数値(FOM)

RDS が最小になるように調整 - Qoss FOM

100 %Rg及びUISテスト済み

関連ページ