Vishay MOSFET, タイプNチャンネル -40 V, 141 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8, SQS180ELNW-T1_GE3

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梱包形態
RS品番:
252-0324
メーカー型番:
SQS180ELNW-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

141A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-40V

パッケージ型式

PowerPAK 1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.01mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

192W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

94nC

動作温度 Max

175°C

幅

3.3 mm

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Vishay自動車用MOSFETは、専用のプロセスフローで製造されており、堅牢性が維持されています。最大ジャンクション温度定格175 °CのVishay Siliconix AEC-Q101認定SQシリーズは、低オン抵抗nチャンネル及びpチャンネルトレンチFET技術を備え、鉛(Pb)及びハロゲンフリーSOパッケージに収められています。

TrenchFET Gen IVパワーMOSFET

AEC-Q101認定

100 % Rg及びUISテスト済

み、拭き取り可能なフランク端子、

低熱抵抗、0.75 mmプロファイル

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