Texas Instruments MOSFET, タイプNチャンネル, 5 A, 表面 20 V, CSD85301Q2T パッケージWSON
- RS品番:
- 252-8494
- メーカー型番:
- CSD85301Q2T
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
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- RS品番:
- 252-8494
- メーカー型番:
- CSD85301Q2T
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Texas Instruments | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | WSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 65mΩ | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.3W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Texas Instruments | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 WSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 65mΩ | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.3W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.2nC | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
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