onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A エンハンスメント型, スルーホール, 7-Pin パッケージTO-247, NTH4L025N065SC1

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梱包形態
RS品番:
254-7670
メーカー型番:
NTH4L025N065SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

58A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

パッケージ型式

TO-247

シリーズ

NTH

取付タイプ

スルーホール

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

164nC

最大許容損失Pd

117W

順方向電圧 Vf

4.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI

自動車規格

AEC-Q101

シリコンカーバイド(SiC) MOSFET - EliteSiC、19モーム、650 V、M2、TO-247-4Lシリコンカーバイド(SiC) MOSFET - 19モーム、650 V、M2、TO247−4L


ON SemiconductorのNTHシリーズのシリコンカーバイドモスフェットは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を発揮する完全に新しい技術を採用しています。さらに、低オン抵抗とコンパクトなチップサイズを備えています。これにより、静電容量とゲート充電が低くなります。したがって、システムの利点には、最高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの削減、システムサイズの削減などがあります。

通信で使用される超低ゲート充電、高速スイッチング、低静電容量

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