onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 58 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247, NTHL025N065SC1

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梱包形態
RS品番:
248-5818
メーカー型番:
NTHL025N065SC1
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

58A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

NTH

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

最大許容損失Pd

117W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

164nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

炭化ケイ素(SiC)MOSFET - EliteSiC、19 mΩ、650 V、M2、TO-247-3L


ON Semiconductorの炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、ドレイン-ソース間電圧650 V、消費電力348 WのNチャンネルMOSFETで、TO247-3Lパッケージに収められています。このデバイスはハロゲン化物不使用で、RoHS指令の適用除外7a、鉛不使用2LIに準拠しています。

超低ゲートチャージ 164 nC

低キャパシタンス 278 pF

100%アバランシェテスト済み

温度175 °C

RDS(on) 19 mΩ

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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