DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル -30 V, DMN2009UCA4-7 パッケージX4-DSN1717-4
- RS品番:
- 254-8597
- メーカー型番:
- DMN2009UCA4-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥142.40 | ￥1,424 |
| 50 - 90 | ￥125.00 | ￥1,250 |
| 100 - 240 | ￥106.50 | ￥1,065 |
| 250 - 990 | ￥89.10 | ￥891 |
| 1000 + | ￥71.70 | ￥717 |
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- RS品番:
- 254-8597
- メーカー型番:
- DMN2009UCA4-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -30V | |
| パッケージ型式 | X4-DSN1717-4 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 0.37W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -30V | ||
パッケージ型式 X4-DSN1717-4 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 0.37W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
DiodeZetex強化モードMOSFETは、オンステート抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電源管理用途に最適です。バッテリ保護及びバッテリに適しています。
ゲートのESD保護、高速スイッチング速度、ハロゲン及びアンチモニウムフリー