DiodesZetex MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 10.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージX1-DFN1006-3, DMP2900UFB-7B

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥907.00

(税抜)

￥997.75

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 9,500 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 475￥36.28￥907
500 - 4725￥31.40￥785
4750 - 6225￥26.32￥658
6250 - 7975￥23.00￥575
8000 +￥18.12￥453

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
254-8624
メーカー型番:
DMP2900UFB-7B
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

10.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

X1-DFN1006-3

シリーズ

DMP

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

123nC

最大許容損失Pd

1.73W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

175°C

長さ

1.07mm

規格 / 承認

No

高さ

5.3mm

幅

0.67 mm

自動車規格

AEC-Q101

DiodeZetex Pチャンネル強化モードMOSFETは、オンステート抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電力管理用途に最適です。負荷スイッチ及びポー

低オン抵抗、高速スイッチング速度、ハロゲン及びアンチモニウムフリー

関連ページ