DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 12 V, 10.7 A エンハンスメント型, 8-Pin パッケージPowerDI3333-8, DMTH10H032LFVW-13

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,007.00

(税抜)

￥1,107.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,850 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥100.70￥1,007
150 - 1390￥87.60￥876
1400 - 1890￥75.80￥758
1900 - 2390￥62.90￥629
2400 +￥51.20￥512

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
254-8648
メーカー型番:
DMTH10H032LFVW-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

10.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

12V

パッケージ型式

PowerDI3333-8

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

41mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

1.73W

動作温度 Max

175°C

幅

3.3 mm

長さ

3.3mm

規格 / 承認

No

高さ

0.8mm

自動車規格

AEC-Q101

DiodeZetex強化モードMOSFETは、オンステート抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率の電源管理用途に最適です。DC-DCコンバータ及び電源に適しています。

低オン抵抗、ウェットテーブルフランクで光学検査の改善、低スイッチング損失、ハロゲン及びアンチモニウムフリー

関連ページ