DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 31.8 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerDI3333, DMT6015LFVW-7

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥1,980.00

(税抜)

￥2,178.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,675 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 75￥79.20￥1,980
100 - 850￥69.08￥1,727
875 - 1225￥59.88￥1,497
1250 - 1475￥49.76￥1,244
1500 +￥39.60￥990

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
222-2877
メーカー型番:
DMT6015LFVW-7
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

31.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerDI3333

シリーズ

DMT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

16mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

28.4W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.05mm

高さ

3.3mm

幅

0.8 mm

自動車規格

なし

DiodesZetex N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

DiodesZetex N チャンネル拡張モード MOSFET は、オン状態の抵抗（ RDS （ ON ））を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されており、高効率のパワー管理用途に最適です。

低オン抵抗

小型で熱効率の高いパッケージにより、最終製品の高密度化を実現

光学検査を改善するためのウェッタブルフランク

低オン抵抗

小型で熱効率の高いパッケージにより、最終製品の高密度化を実現

光学検査を改善するためのウェッタブルフランク

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ