Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル -60 V, -5.1 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 256-7312
- メーカー型番:
- IRFR9014PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7312
- メーカー型番:
- IRFR9014PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | -5.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | -60V | |
| シリーズ | IRFR9014 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.5Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大許容損失Pd | 25W | |
| 順方向電圧 Vf | -5.5V | |
| 動作温度 Max | +150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id -5.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds -60V | ||
シリーズ IRFR9014 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.5Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
最大許容損失Pd 25W | ||
順方向電圧 Vf -5.5V | ||
動作温度 Max +150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
高さ 2.38mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRFR9014シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧: -60 V、最大消費電力: 25 W - IRFR9014PBF
このパワーMOSFETは、産業用電子システム内のスイッチングおよび増幅作業用に設計されたPチャンネルデバイスです。最大-60 Vのマイナスドレインソース電圧で動作し、中程度の連続電流をサポートしているため、表面実装アセンブリでの制御された電力伝送に適しています。このコンポーネントはTO-252パッケージで提供され、コンパクトな基板実装パワートランジスタが必要な用途向けに設計されています。
特長：
• 低Rds(on) 0.5 Ωにより、導通損失を低減
• 最大連続ドレイン電流: -5.1 Aで持続的な負荷処理が可能
• 最大20 Vの定格Vgsにより、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 標準ゲート充電12 nCにより、高速スイッチングダイナミックを実現
• 最大消費電力25 Wで熱ヘッドルームをサポート
• 過酷な温度に耐える動作範囲: -55°C～+150°C
• 最大連続ドレイン電流: -5.1 Aで持続的な負荷処理が可能
• 最大20 Vの定格Vgsにより、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 標準ゲート充電12 nCにより、高速スイッチングダイナミックを実現
• 最大消費電力25 Wで熱ヘッドルームをサポート
• 過酷な温度に耐える動作範囲: -55°C～+150°C
用途
• 制御モジュールのハイサイドスイッチングに最適
• オートメーション機器の電力管理に最適
• Pチャンネルスイッチングを必要とするモータドライバと併用
• 電気アセンブリの負荷保護に使用可能
• コンパクトな表面実装型電源ボードに最適
• オートメーション機器の電力管理に最適
• Pチャンネルスイッチングを必要とするモータドライバと併用
• 電気アセンブリの負荷保護に使用可能
• コンパクトな表面実装型電源ボードに最適
フットプリントプランニングには、どのようなパッケージを期待すべきですか?
このデバイスは、直接基板実装用の3ピン付きのTO-252表面実装パッケージで提供されます。
ゲート充電はスイッチング設計にどのように影響しますか?
12 nCのゲート充電は、必要なドライブエネルギーを決定し、スイッチング損失とドライバ選択に影響を与え、効率的なタイミングを実現します。
冷却戦略に関連する熱制限はどのようなものですか?
このコンポーネントは、最大25 Wの消費電力と最大ジャンクション温度+150 °Cに対応しているため、ヒートシンクと基板銅を適切にサイズする必要があります。
保護回路では、どのような電圧および電流制限を遵守する必要がありますか?
最大ドレインソース電圧は-60 V、連続ドレイン電流は-5.1 Aで、過度のストレスを防止するための保護対策を設計しています。
ゲートとピンの取り扱いに関する考慮事項はありますか?
最大ゲートソース定格は20 Vで、ゲート酸化物の損傷を防止し、組み立て時のESD予防措置を確保してください。
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