Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 6.6 A, 表面, 6-Pin パッケージPowerPAK, SIA108DJ-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
256-7401
メーカー型番:
SIA108DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

パッケージ型式

PowerPAK

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.024Ω

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

19W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

0.8mm

自動車規格

なし

Vishay Semiconductor Nチャンネル80 V (D-S) mosfetの用途は、一次サイドスイッチ、DC、DCコンバータ、モータドライブスイッチ、ブーストコンバータ、LEDバックライトなどです。

TrenchFET gen IVパワーモスフェット

最低のRDS x Qossにチューニング

100 % Rg及びUISテスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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