Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 25 A, 表面 パッケージPowerPAK SO-8, SIRA12DP-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
256-7431
メーカー型番:
SIRA12DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0095Ω

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Vishay Semiconductor Nチャンネル30 V 25 A (Tc) 4.5 W (Ta)、31 W (Tc)表面実装iTimeは、IEC61249-2-21の定義に従ってハロゲンフリーで、用途は高電力密度DC、DC、同期整流、VRM、組み込みDC、DCです。

TrenchFET gen IVパワーモスフェット

100 % Rg及びUISテスト済み

RoHS指令2002/95/ECに準拠

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