Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 40 A, 0.0095 Ω, パッケージ：PowerPAK SO-8
- RS品番:
- 256-7426
- メーカー型番:
- SIRA04DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- メーカー型番:
- SIRA04DP-T1-GE3
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- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 40A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0095Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 40A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PowerPAK SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0095Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SemiconductorトランスMOSFET N-CH 30 V 35.9 A 8ピンPowerPAK SO T、Rです。同期整流、高電力密度DC、DC、VRM、組み込みDC、DCの用途があります。
TrenchFETパワーモスフェット
100 % Rg及びUISテスト済み
低Qgで高効率
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