Infineon MOSFET, Nチャンネル, 200 V, 76 A, 20 mΩ, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 257-5514
- メーカー型番:
- IRFB4127PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-5514
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- IRFB4127PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 76A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | PCBマウント | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 76A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ PCBマウント | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧200V、最大消費電力375W - IRFB4127PBF
このMOSFETは、TO-220パッケージで基板実装用に設計された高電圧エンハンスメントモードNチャンネルトランジスタです。大きな電流処理と熱容量が求められる電力スイッチングおよび制御作業に対応し、RoHS規制に適合しながら幅広い産業温度範囲で動作します。
特長および利点：
• 20mΩ のRds(on)により、導通損失を低減
• 76Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングをサポート
• 200V のドレイン・ソース定格により、高電圧用途に対応
• 375Wの消費電力により、熱ヘッドルームを向上
• 1.3Vの順方向電圧により、ゲートドライブの損失を最小限に抑制
• 76Aの連続ドレイン電流により、高負荷スイッチングをサポート
• 200V のドレイン・ソース定格により、高電圧用途に対応
• 375Wの消費電力により、熱ヘッドルームを向上
• 1.3Vの順方向電圧により、ゲートドライブの損失を最小限に抑制
用途
• 産業用システムの電源スイッチングに最適
• 高電流処理を必要とするモータードライバーに使用
• 高電圧レールのDC-DCコンバータに最適
• 基板上のインバータステージスイッチングに使用可能
• 高電流処理を必要とするモータードライバーに使用
• 高電圧レールのDC-DCコンバータに最適
• 基板上のインバータステージスイッチングに使用可能
ゲート電圧について、どのような制限を守る必要がありますか？
ゲート-ソース間電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲートダイエレクトリックの損傷を防止します。
動作中に耐えられる温度範囲は？
幅広い産業用途向けに-55°C～175°Cで動作するように設計されています。
このデバイスは、回路基板への表面実装に適していますか?
スルーホールTO-220パッケージに基板実装用に設計されており、熱および機械的に確実に取り付けられます。
環境材料制限に適合していますか?
このコンポーネントはRoHSに準拠しており、有害物質に関する必要な制限に適合しています。
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