Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRFH5210TRPBF

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梱包形態
RS品番:
130-0977
メーカー型番:
IRFH5210TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

10A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

104W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

40nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

高さ

0.9mm

規格 / 承認

No

幅

6 mm

長さ

5mm

自動車規格

なし

NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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