Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 57 A, 13 mΩ, 28 nC, パッケージ：SO-8
- RS品番:
- 257-9296
- メーカー型番:
- IRF6644TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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- RS品番:
- 257-9296
- メーカー型番:
- IRF6644TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 57A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 89W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 57A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 89W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧100V、最大連続ドレイン電流57A - IRF6644TRPBF
このMOSFETは、電子システムの電力スイッチングおよび制御用に設計されたNチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、プリント基板アセンブリへの取り付け用のコンパクトなSO-8パッケージで提供されます。このデバイスは、高電流処理と低い順方向ダイオードドロップが必要な場所に適しており、RoHS環境制限に適合しています。
特長および利点：
• 100V定格電圧により、高電圧スイッチング機能を実現
• 連続電流 57A により、高負荷用途に対応
• 13mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 最大許容電力 89W により、継続的な熱負荷に対応
• 28nCゲート充電により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
• 連続電流 57A により、高負荷用途に対応
• 13mΩ のRds(on)により、動作時の導通損失を低減
• 最大許容電力 89W により、継続的な熱負荷に対応
• 28nCゲート充電により、予測可能なゲートドライブ要件を実現
用途
• 電源のDC-DCコンバータに適合
• スイッチング電源の同期整流に最適
• 高電流を必要とするモータードライブステージで使用
• ハイサイドスイッチングまたはローサイドスイッチングに使用可能
• 中間バスおよび電源管理回路に最適
• スイッチング電源の同期整流に最適
• 高電流を必要とするモータードライブステージで使用
• ハイサイドスイッチングまたはローサイドスイッチングに使用可能
• 中間バスおよび電源管理回路に最適
許容周囲動作温度範囲は?
最小-55°Cから最大150°Cまで動作します。
駆動中にどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?
損傷を防止するため、ゲートはソースに対して±20Vを超えてはなりません。
本質ダイオードは、順方向伝導においてどのような動作を発揮しますか?
内蔵ダイオードは、伝導時に1.3Vの順方向電圧を発揮します。
基板組立時にはどのような包装が期待されますか?
標準的なはんだアセンブリに適したSO-8表面実装パッケージで提供されます。
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