Infineon MOSFET, タイプNチャンネル -30 V, -12 A, 表面 パッケージSO-8, IRF9388TRPBF

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梱包形態
RS品番:
257-9336
メーカー型番:
IRF9388TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

-12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.9mΩ

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon IRFシリーズは、SO 8パッケージに収められた-30 V pチャンネル強力なIRFETパワーモスフェットです。強力なIRFETパワーmosfetファミリは、低RDS(オン)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。

ディストリビューションパートナーからの幅広い利用可能性に最適化

JEDEC規格に準拠した製品認定

業界標準の表面実装パッケージ

100 kHz未満のスイッチング用途向けに最適化されたシリコン

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