Infineon MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 46 A, 46 mΩ, 72 nC, パッケージ:TO-220

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RS品番:
257-9346
メーカー型番:
IRFB4229PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

46A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

スルーホール

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

46mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

72nC

動作温度 Min

-40°C

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

10V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧250V、最大連続ドレイン電流46A - IRFB4229PBF


このMOSFETは、高電圧回路のスイッチングおよび増幅用に設計されたスルーホールNチャンネルパワートランジスタです。幅広い温度範囲で動作し、TO-220パッケージで堅牢なゲートドライブ特性と適度なオン抵抗を必要とする用途に適しています。

特長および利点:


• 46Aの連続電流により、高負荷スイッチング機能を実現
• 46mΩ Rds(on)により、電力経路での導通損失を低減
• 250V のドレイン・ソース定格により、高電圧動作が可能
• 72nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作をサポート
• 10Vの最大ゲートソース電圧により、標準的なゲートドライブレベルを実現

用途


• 高電圧電力変換段階に使用
• ディスクリートモータードライブスイッチングエレメントに最適
• 汎用スルーホール電源ボードに最適
• 産業用制御スイッチングモジュールに使用可能
• 高温システムでの熱管理に使用

取り付けの利便性を高めるために、どのようなパッケージタイプが付属していますか?


TO-220スルーホールパッケージで提供され、プリント基板の固定やヒートシンクが容易です。

動作中に耐えられる温度範囲は?


このデバイスの定格動作温度範囲は-40°C~175°Cです。

どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?


ゲートソース電圧は、ゲート酸化物の損傷を防止するために10Vを超えてはなりません。

このデバイスは、自動車標準仕様の使用に適していますか?


自動車規格に適合しているとは指定されておらず、自動車グレードであるとは考慮しないでください。

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