Infineon MOSFET, Nチャンネル, 150 V, 35 A, 39 mΩ, パッケージ：TO-220
- RS品番:
- 257-9354
- メーカー型番:
- IRFB5615PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 257-9354
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- IRFB5615PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 35A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 39mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Max | +175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 35A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 39mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Max +175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース電圧150V、最大連続ドレイン電流35A - IRFB5615PBF
このMOSFETは、過酷な環境でのスイッチングおよび電力変換用に設計されたスルーホールパワートランジスタです。TO-220パッケージのエンハンスメントモードNチャンネルデバイスとして動作し、堅牢なドレイン・ソース間電圧定格と大幅な連続電流処理を必要とする設備に適しています。このコンポーネントはRoHS要件に適合し、産業環境に適した幅広い熱スパンに対応しています。
特長および利点：
• ドレイン-ソース間定格電圧 150V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 35Aの連続電流により、高電流電源をサポート
• 39mΩの低Rds(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制
• -55°C～+175°Cの動作範囲により、極端な温度条件でも使用可能
• 1.3Vの順方向ゲート電圧により、スイッチングのドライブ要件を低減
• 35Aの連続電流により、高電流電源をサポート
• 39mΩの低Rds(on)により、動作中の導通損失を最小限に抑制
• -55°C～+175°Cの動作範囲により、極端な温度条件でも使用可能
• 1.3Vの順方向ゲート電圧により、スイッチングのドライブ要件を低減
用途
• モータードライブパワーステージに最適
• 高電流スイッチング電源に最適
• 産業システムのディスクリート電源制御モジュールと併用
• 高電圧DCスイッチング作業に使用可能
• 高電流スイッチング電源に最適
• 産業システムのディスクリート電源制御モジュールと併用
• 高電圧DCスイッチング作業に使用可能
プリント基板実装において、どのようなパッケージタイプが期待されますか?
確実なはんだ付け取り付けに適したTO-220スルーホールパッケージで提供されます。
チャンネルタイプはスイッチング極性にどのように影響しますか?
Nチャンネル構成には、伝導のためにソースに対して正のゲートドライブが必要です。
この部品は自動車規格への適合を目的とした製品ですか？
自動車グレード規格に適合することは指定されていません。
どのような標準的な環境制限に準拠していますか?
このデバイスは、特定の有害物質を制限するRoHS指令に準拠しています。
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